・!DOCTYPE html PUBLIC "-//W3C//DTD XHTML 1.0 Transitional//EN" "http://www.w3.org/TR/xhtml1/DTD/xhtml1-transitional.dtd">" Tsukazaki lab.| 研究室案内

研究室案内

Tsukazaki Laboratory

address
〒980-8577
宮城県仙台市青葉区片平2-1-1
居室 :4号館2階211号室
実験室:4号館2階208-210
Phone
022-215-2085 (Tsukazaki)
Phone
022-215-2088 (Lab.)
Fax
022-215-2086
E-mail
tsukazaki_@_imr.tohoku.ac.jp
(_を抜いてください)

研究概要

研究内容
新奇低温物性の探索と薄膜化技術を駆使した物質開拓
実験機器
薄膜作製装置:分子線エピタキシー装置、パルスレーザー堆積装置
参加学会
応用物理学会、MRS、APSなど
詳しい研究内容
:本研究室では、独自の高品質薄膜化技術を使って、新しい機能界面を自身で作ることから新しい物理への展開を目指していますので、非平衡プロセスである超高真空中での薄膜作製手法を駆使して、人工的超構造の創成と界面物性研究を行っています.特に、量子ホール効果に代表される量子輸送現象に着目しており、2次元電子系を形成する新規物質群の探索と実証研究を展開しています.これまでに、酸化物を用いた積層構造において良質な界面形成技術を確立し、2次元電子系の量子輸送現象について研究を行ってきました.さらに材料系を拡張したり、電界効果を適用したりすることで、様々な物性研究にチャレンジしたいと考えています。
最近の研究テーマ
    ・新規伝導性酸化物界面の創成
    ・トポロジカル絶縁体薄膜の物性開拓
    ・電界効果による物性制御
    ・極薄膜FeSeの界面超伝導制御
    など薄膜技術を活用した物性研究
 

分子線エピタキシー装置

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