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    准教授 藤原 宏平
    Kohei Fujiwara
    kohei.fujiwara_@_tohoku.ac.jp
    (_を抜いてください)
    TEL: 022-215-2088
    FAX: 022-215-2086



  • 略歴
    2003年3月  東京大学理学部化学科 卒業
    2008年3月  東京大学大学院新領域創成科学研究科
                         物質系専攻 修了 博士(科学)
    2008年4月  理化学研究所 基礎科学特別研究員
    2011年2月  大阪大学産業科学研究所 助教
    2015年4月  東北大学金属材料研究所 講師
    2018年10月  東北大学金属材料研究所 准教授

  • 研究分野
        酸化物エレクトロニクス、薄膜新材料、スピントロニクス
        薄膜合成、無機固体化学、トポロジカル物質
        researchmap
        科研費データベース

  • 研究室志望の学生さんに一言
        酸化物とエレクトロニクス、聞き慣れないこの組み合わせには無限の可能性があります。
        物理と化学が複雑に絡み合ったこの分野で、皆さんの柔軟な発想を試してみませんか。

  • 最近の成果(筆頭および責任著者分)

    Co2FeSn    L21 ordering of Co2FeSn thin films promoted
       by high-temperature annealing
       K. Fujiwara, K. Shibata, S. Nishimura, J. Shiogai,
       and A. Tsukazaki
       AIP Advances 12, 065030 (2022).
    The kagome    Tuning scalar spin chirality in ultrathin films
       of the kagome-lattice ferromagnet Fe3Sn
       K. Fujiwara, Y. Kato, T. Seki, K. Nomura,
       K. Takanashi, Y. Motome, and A. Tsukazaki
       Communications Materials 2, 113 (2021).
    Down to the limit    Two-dimensionality of metallic surface conduction
       in Co3Sn2S2 thin films
       J. Ikeda, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Seki, K. Nomura,
       K. Takanashi, and A. Tsukazaki
       Communications Physics 4, 117 (2021).
    Down to the limit    Critical thickness for the emergence of Weyl features
       in Co3Sn2S2 thin films
       J. Ikeda, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Seki, K. Nomura,
       K. Takanashi, and A. Tsukazaki
       Communications Materials 2, 18 (2021).
    Happy honeycom    Stabilization of a honeycomb lattice of IrO6 octahedra
       by formation of ilmenite-type superlattices in MnTiO3
       K. Miura, K. Fujiwara, K. Nakayama, R. Ishikawa, N. Shibata,
       and A. Tsukazaki
       Communications Materials 1, 55 (2020).
    Magic blend    Insulator-to-Metal Transition of Cr2O3 Thin Films
       via Isovalent Ru3+ Substitution
       K. Fujiwara, M. Kitamura, D. Shiga, Y. Niwa, K. Horiba,
       T. Nojima, H. Ohta, H. Kumigashira, and A. Tsukazaki
       Chemistry of Materials 32, 5272 (2020).
    Listen to the echo.    Electrical detection of the antiferromagnetic transition
       in MnTiO3 ultrathin films by spin Hall magnetoresistance
       K. Miura, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Nojima, and A. Tsukazaki
       Journal of Applied Physics 127, 103903 (2020).
    Treasure hunt    Doping-induced enhancement of anomalous Hall coefficient
       in Fe-Sn nanocrystalline films for highly sensitive Hall sensors
       K. Fujiwara, Y. Satake, J. Shiogai, and A. Tsukazaki
       APL Materials 7, 111103 (2019).
    The larger, the better    Ferromagnetic Co3Sn2S2 thin films fabricated by co-sputtering
       K. Fujiwara, J. Ikeda, J. Shiogai, T. Seki, K. Takanashi,
       and A. Tsukazaki
       Japanese Journal of Applied Physics 58, 050912 (2019).
    Ilmenite vs. LiNbO3    Growth control of corundum-derivative MnSnO3 thin films
       by pulsed-laser deposition
       K. Miura, K. Fujiwara, and A. Tsukazaki
       AIP Advances 9, 035210 (2019).
    Flexible Hall sensor    Fe-Sn nanocrystalline films for flexible magnetic sensors
       with high thermal stability
       Y. Satake, K. Fujiwara, J. Shiogai, T. Seki, and A. Tsukazaki
       Scientific Reports 9, 3282 (2019).
       ホール素子(特願2018-157542)
       塚﨑 敦、藤原 宏平
    Rutile-type oxides    Formation of distorted rutile-type NbO2, MoO2, and WO2 films
       by reactive sputtering
       K. Fujiwara and A. Tsukazaki
       Journal of Applied Physics 125, 085301 (2019).
    ZnSnO3/LiNbO3 interface    Thin-film stabilization of LiNbO3-type ZnSnO3 and MgSnO3
       by molecular-beam epitaxy
       K. Fujiwara, H. Minato, J. Shiogai, A. Kumamoto, N. Shibata,
       and A. Tsukazaki
       APL Materials 7, 022505 (2019).
    Poled direction dependence    High-mobility field-effect transistor based on crystalline ZnSnO3
       thin films
       H. Minato, K. Fujiwara, and A. Tsukazaki
       AIP Advances 8, 055327 (2018).
    Alternate pulsed-laser deposition    Fabrication of tetragonal FeSe - FeS alloy films with high sulfur
       contents by alternate deposition
       K. Fujiwara, J. Shiogai, and A. Tsukazaki
       Japanese Journal of Applied Physics 56, 100308 (2017).
    Gate-induced insulator-to-metal transition    Enhanced electron mobility at the two-dimensional metallic surface
       of BaSnO3 electric-double-layer transistor at low temperatures
       K. Fujiwara, K. Nishihara, J. Shiogai, and A. Tsukazaki
       Applied Physics Letters 110, 203503 (2017).
    Heterostructured channel    High field-effect mobility at the (Sr,Ba)SnO3/BaSnO3 interface
       K. Fujiwara, K. Nishihara, J. Shiogai, and A. Tsukazaki
       AIP Advances 6, 085014 (2016).

  • これまでの主な論文・業績
        電気二重層トランジスタ構造を用いた酸化物の物性制御
           Advanced Materials Interfaces 1, 1300108 (2014).
           Scientific Reports 4, 5818 (2014).
           Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA 2014

        5d遷移金属酸化物における逆スピンホール効果の観測
           Nature Communications 4, 2893 (2013).

        抵抗変化メモリの局所相変化メカニズム解明
           Japanese Journal of Applied Physics 47, 6266 (2008).
           Applied Physics Letters 95, 012110 (2008).
           Applied Physics Letters 103, 193114 (2013).
           第32回応用物理学会論文奨励賞
           第34回応用物理学会講演奨励賞