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    助教 寺田 吏
    Tsukasa Terada
    tsukasa.terada_@_tohoku.ac.jp
    (_を抜いてください)
    022-215-2089

























    • 略歴
      2013年3月 大阪府立泉陽高等学校 卒業 

      2017年3月 大阪大学基礎工学部電子物理科学科 卒業 

      2019年3月 大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻博士課程前期2年課程 修了

      2022年3月 大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻博士課程後期3年課程 終了

      2022年4月 東北大学 金属材料研究所 助教

  • 研究分野
    薄膜成長、熱電変換

    • Publication list
      10. Giant enhancement of Seebeck coefficient by deformation of silicene buckled structure in calcium-intercalated layered silicene film
      T. Terada, Y. Uematsu, T. Ishibe, N. Naruse, K. Sato, T. Nguyen, E. Kobayashi, H. Nakano, and Y. Nakamura
      Advanced Materials Interfaces 9, 2101752 (2022).

      9. Thermoelectric power factor enhancement of calcium-intercalated layered silicene by introducing metastable phase
      T. Terada, T. Ishibe, T. Katayama, K. Sato, T. Nguyen, H. Nakano, and Y. Nakamura
      Applied Physics Express 14, 115505 (2021).

      8. Low thermal conductivity of complex thermoelectric barium silicide film epitaxially grown on Si
      T. Ishibe, J. Chikada, T. Terada, Y. Komatsubara, R. Kitaura, S. Yachi, Y. Yamashita, T. Sato, T. Suemasu, and Y. Nakamura
      Applied Physics Letters 119, 141603 (2021).

      7. Phonon transport in nano-system of Si and SiGe films with Ge nanodots and approach to ultralow thermal conductivity
      T. Taniguchi, T. Terada, Y. Komatsubara, T. Ishibe, K. Konoike, A. Sanada, N. Naruse, Y. Mera, and Y. Nakamura
      Nanoscale 13, 4971-4977 (2021).

      6. Low thermal conductivity in single crystalline epitaxial germanane films
      Y. Uematsu, T. Terada, K. Sato, T. Ishibe, and Y. Nakamura
      Applied Physics Express 13, 055503 (2020).

      5. Resistive switching memory performance in oxide hetero-nanocrystals with well-controlled interfaces
      T. Ishibe, Y. Maeda, T. Terada, N. Naruse, Y. Mera, E. Kobayashi, and Y. Nakamura
      Science and Technology of Advanced Materials 21, 195-204 (2020).

      4. Modulation of lattice constants by changing the composition and strain in incommensurate Nowotny chimney-ladder phase FeGeg epitaxially grown on Si
      T. Terada, T. Ishibe, and Y. Nakamura
      Surface Science 690, 121470 (2019).

      3. Areal density control of ZnO nanowires in physical vapor transport using Ge nanocrystals
      T. Ishibe, T. Taniguchi, T. Terada, A. Tomeda, K. Watanabe, and Y. Nakamura
      Japanese Journal of Applied Physics 57, 08NB07-1-5 (2018).

      2. Growth of epitaxial FeGeg nanocrystals with incommensurate Nowtny chimney-ladder phase on Si substrate
      T. Terada, T. Ishibe, K. Watanabe, and Y. Nakamura
      Japanese Journal of Applied Physics 57, 08NB01-1-4 (2018).

      1. Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide / germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates
      H. Matsui, T. Ishibe, T. Terada, S. Sakane, K. Watanabe, S. Takeuchi, A. Sakai, S. Kimura, and Y. Nakamura
       Applied Physics Letters 112, 031601-1~5 (2018).

      • 研究室志望の学生さんに一言
           ナノテクノロジーを駆使すると新たな物性を生み出すことができます。
           自身で作製した材料が今までにない特性を示す面白さを共に味わいましょう!