塚﨑研究室|東京大学

寺田吏 Tsukasa Terada

研究分野や研究の興味

薄膜ナノ構造、熱電変換

略歴

2013年3月 大阪府立泉陽高等学校 卒業 

2017年3月 大阪大学基礎工学部電子物理科学科 卒業 

2019年3月 大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻博士課程前期2年課程 修了

2022年3月 大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻博士課程後期3年課程 修了

2022年4月 東北大学 金属材料研究所 助教

2024年10月 東京大学大学院工学系研究科附属量子相エレクトロニクス研究センター 助教

主要論文・業績

11. Seed-assisted epitaxy of intermetallic compounds with interface-determined orientation: Incommensurate Nowotny chimney-ladder FeGeg epitaxial film

T. Terada, R. Kitaura, S. Ishigaki, T. Ishibe, N. Naruse, Y. Mera, R. Asahi, and Y. Nakamura

Acta Materialia 236,  118130 (2022).

10. Giant enhancement of Seebeck coefficient by deformation of silicene buckled structure in calcium-intercalated layered silicene film

T. Terada, Y. Uematsu, T. Ishibe, N. Naruse, K. Sato, T. Nguyen, E. Kobayashi, H. Nakano, and Y. Nakamura

Advanced Materials Interfaces 9, 2101752 (2022).

 

9. Thermoelectric power factor enhancement of calcium-intercalated layered silicene by introducing metastable phase

T. Terada, T. Ishibe, T. Katayama, K. Sato, T. Nguyen, H. Nakano, and Y. Nakamura

Applied Physics Express 14, 115505 (2021).

 

8. Low thermal conductivity of complex thermoelectric barium silicide film epitaxially grown on Si

T. Ishibe, J. Chikada, T. Terada, Y. Komatsubara, R. Kitaura, S. Yachi, Y. Yamashita, T. Sato, T. Suemasu, and Y. Nakamura

Applied Physics Letters 119, 141603 (2021).

 

7. Phonon transport in nano-system of Si and SiGe films with Ge nanodots and approach to ultralow thermal conductivity

T. Taniguchi, T. Terada, Y. Komatsubara, T. Ishibe, K. Konoike, A. Sanada, N. Naruse, Y. Mera, and Y. Nakamura

Nanoscale 13, 4971-4977 (2021).

 

6. Low thermal conductivity in single crystalline epitaxial germanane films

Y. Uematsu, T. Terada, K. Sato, T. Ishibe, and Y. Nakamura

Applied Physics Express 13, 055503 (2020).

 

5. Resistive switching memory performance in oxide hetero-nanocrystals with well-controlled interfaces

T. Ishibe, Y. Maeda, T. Terada, N. Naruse, Y. Mera, E. Kobayashi, and Y. Nakamura

Science and Technology of Advanced Materials 21, 195-204 (2020).

 

4. Modulation of lattice constants by changing the composition and strain in incommensurate Nowotny chimney-ladder phase FeGeg epitaxially grown on Si

T. Terada, T. Ishibe, and Y. Nakamura

Surface Science 690, 121470 (2019).

 

3. Areal density control of ZnO nanowires in physical vapor transport using Ge nanocrystals

T. Ishibe, T. Taniguchi, T. Terada, A. Tomeda, K. Watanabe, and Y. Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics 57, 08NB07-1-5 (2018).

 

2. Growth of epitaxial FeGeg nanocrystals with incommensurate Nowtny chimney-ladder phase on Si substrate

T. Terada, T. Ishibe, K. Watanabe, and Y. Nakamura

Japanese Journal of Applied Physics 57, 08NB01-1-4 (2018).

 

1. Resistive switching characteristics of isolated core-shell iron oxide / germanium nanocrystals epitaxially grown on Si substrates

H. Matsui, T. Ishibe, T. Terada, S. Sakane, K. Watanabe, S. Takeuchi, A. Sakai, S. Kimura, and Y. Nakamura

 Applied Physics Letters 112, 031601-1~5 (2018).

Google Scholar

研究室志望の学生さんに一言

ナノテクノロジーを駆使すると新たな物性を生み出すことができます。
自身で作製した材料が今までにない特性を示す面白さを共に味わいましょう!